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                2019-03-27
                ROHM推出SiC MOSFET新機型「SCT3xxxxxHR系列」支援■汽車電看著半空中子產品可靠性標準AEC-Q101

                <概要>
                 

                半導體▽製造商ROHM(總公司:日本國京都市)針︻對車電充電器和DC/DC轉換器※1)新推出SiC MOSFET※3)「SCT3xxxxxHR系列」共10個機型,該系列產品支援汽車電子產 尉遲威品可靠性標準AEC-Q101※2),且產品系列豐富,擁△有業界最多共13個機型。


                ROHM於2010年領先全球成功量產了SiC MOSFET,在SiC功率元件▂領域,ROHM始終不斷推動先端產品研發和構建量產體制。在需求不斷々擴大的車電市場,ROHM在早期就已經看著半空中碰撞確立高品質車電產品基準,並於2012年開始供◥應用於車用充電器的SiC蕭∏特基二極體(SBD)※4),2017年也開始供應車用充電器▓和DC/DC轉換器用的◥SiC MOSFET。


                此次新增加的10個機型是採用溝槽閘極結︼構※5)、並支援車電應用的SiC MOSFET,產品已於2018年12月開始以∮月產50萬個的規模開始量產(樣品價格:500~5,000日元/個,不含稅。※具體價◢格因產品而異)。前段製你們認為我云嶺峰和四大家族是死敵嗎程的製造據點為ROHM Apollo CO., LTD.(日本福岡),後段╳製程的製造據點為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。

                <背景>

                近年來,隨著環保意識的提高和燃油價格的飆升,電動車的市場需求不斷增加。另一方面,雖然電動♂車(EV)日漸普及,然而續航距離短始終是急需解決的課題之一。為了延長續航∏距離,電池的容量呈現日傾盆大雨突然飄下益增加的趨勢,同時還要求縮↘短充電時間。然而,要實看清楚了暗影mén現這些目標,就需要∑更高輸出且更高效率的車用充電器(11kW、22kW等),因此業界採用SiC MOSFET的應用也越來越多。另外,以←歐洲為中心,電池電壓也呈現日漸增高趨勢(800V),這時就需要更高耐壓且更低損耗的功率元件。為了滿足這些市場需求,ROHM一直在加強滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的產品財富系列,加上此次☆新增的產品,ROHM實施量產的SiC SBD和SiC MOSFET已達到34個機型,擁有領先業界的傲人產品陣容。在SiC MOSFET領域,擁有650V、1200V耐壓的※產品系列,可為客戶提供先進的解決方案。

                自創立以來↘,ROHM一直秉承「品質第一」的企業宗旨,採用一瞬間化為九九八十一道人影從研發到製造全部在集團內進行的“垂直整合恐怖高手型Ψ ”生產體系,在所有的流程中嚴格貫徹高品質的理念,並積極建立切實可靠★的可追溯系統,努力實現供應鏈的最佳化。針對SiC功率〓元件產品,也建立了從晶圓到封裝在集團內部生產的一條龍生產體制,消除了生產過程中的瓶頸,實現高品質和高可靠『性。

                <產品系列>

                <ROHM SiC功率元件的開發歷方式來突破瓶頸史>

                <ROHM的優勢:垂直整合生產體制>

                <應用示意圖>

                <名詞解釋> 

                *1)DC/DC轉換器
                將直流▅電壓轉換為工作所需的電源電壓的轉換器。
                *2)汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101
                AEC是Automotive Electronics Council的縮寫,是大型①汽車製造商和美國大型電子元件製造商聯手制定的汽車電子元件的可靠性標→準。Q101是專門針對離散式半導 好體元件(電晶體、二極體等)所制定的標準。
                *3)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱)
                金屬-氧化物-半導體場效電晶體,是FET中最常︾用的結構,使用於開關元件。
                *4)蕭原因特基二極體(Schottky Barrier Diode:SBD)
                利用金屬與和¤半導體接觸形成蕭特基接合面、從而獲得整流性(二極體特性)的二極體。沒有少數載子積蓄效應,具有優異的高△速特性。
                *5)溝槽閘極結構
                溝槽(Trench)意為凹槽。是在晶片表面形成凹槽,並在其側壁形成MOSFET閘極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻,比平面結構更容易實現微細化,有望實現接近還有一名水影SiC材料原本性能的導通阻〖抗。

                【關於增你強】

                增你強是臺灣領先業界的半導體零組件通路◥商,我們的使命是成為「技術領先的加∮值通路商」,持續不斷地專註於“以客為尊”的服務理念,用最短的時間協助客戶將新產品上市,並提供技術加值服務的整體解決方案。

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